2n60参数-代换 2n60功率mos场效应管采用的高压dmos工艺技术。这种工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，dc/dc转换器，pwm马达控制和桥式驱动电路等。 特征 · 2a，600v， rds(on)=3.8ω@vgs=10v； · 极低栅电荷，典型9nc； ·极低反向转换电容；典型5pf · 快速开关能力； · 增强的dv/di能力； · 雪崩击穿测试； · 封装型式：to-220，to-220f，to-251，to-252 · 大结温 150 ℃ 2n60参数-to-220封装代换 刘程 13247610001
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